FDS5351 与 DMN6040SSS-13 区别
| 型号 | FDS5351 | DMN6040SSS-13 | ||||
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| 唯样编号 | A3t-FDS5351 | A36-DMN6040SSS-13 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | N-Channel 60 V 35 mOhm SMT PowerTrench Mosfet SOIC-8 | MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 35m Ohms@6.1A,10V | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 5W(Ta) | 1.5W(Ta) | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 40mΩ@4.5A,10V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1287 pF @ 25 V | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 22.4 nC @ 10 V | ||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||
| 连续漏极电流Id | 6.1A | 5.5A(Ta) | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1310pF @ 30V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 27nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 356 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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FDS5351 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.1A(Ta) ±20V 5W(Ta) 35m Ohms@6.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 60V 6.1A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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DMN6040SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.5A(Ta) |
￥1.298
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356 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN6040SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.5A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN6040SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.5A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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SI4850EY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.7W(Ta) -55°C~175°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 6A 22mΩ |
暂无价格 | 5 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
￥25.6617
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1,039 | 对比 |
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