FDS5351 与 SI4850EY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDS5351 | SI4850EY-T1-GE3 |
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| 唯样编号 | A3t-FDS5351 | A-SI4850EY-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 60 V 35 mOhm SMT PowerTrench Mosfet SOIC-8 | SI4850EY Series 60 V 6 A 22 mOhm SMT N-Channel Fast Switching Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 35m Ohms@6.1A,10V | 22mΩ |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 5W(Ta) | 1.7W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SOIC-8 |
| 连续漏极电流Id | 6.1A | 6A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | PowerTrench® | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1310pF @ 30V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 27nC @ 10V | 27nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 5 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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FDS5351 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.1A(Ta) ±20V 5W(Ta) 35m Ohms@6.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 60V 6.1A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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DMN6040SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.5A(Ta) |
￥1.298
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356 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN6040SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.5A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN6040SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.5W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.5A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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SI4850EY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.7W(Ta) -55°C~175°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 6A 22mΩ |
暂无价格 | 5 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
￥25.6617
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1,039 | 对比 |
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