FDS4953 与 SI4925DDY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDS4953 | SI4925DDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDS4953 | A-SI4925DDY-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Dual P-Channel 30 V 2.5 W 50 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 9/10W | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 55 毫欧 @ 5A,10V | 29mΩ |
| 漏源极电压Vds | 30V | 3V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 5W |
| FET类型 | 逻辑电平门 | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | SOIC-8 |
| 连续漏极电流Id | 5A | 7.3A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1350pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 50nC @ 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 528pF @ 15V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 50 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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