| 型号 | FDS3692 | AO4286 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDS3692 | A-AO4286 | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel 100 V 60 mOhm PowerTrench Mosfet SOIC-8 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | - | 3 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60m Ohms@4.5A,10V | 68mΩ@10V | ||||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 92mΩ | ||||||||||
| Qgd(nC) | - | 1.2 | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 6 | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.5A | 4A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||
| Ciss(pF) | - | 390 | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 6V,10V | - | ||||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||||
| Trr(ns) | - | 15 | ||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 18 | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 2.5W | ||||||||||
| Qrr(nC) | - | 53 | ||||||||||
| VGS(th) | - | 2.9 | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 746pF @ 25V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V | - | ||||||||||
| Coss(pF) | - | 30 | ||||||||||
| Qg*(nC) | - | 2.8 | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
|
||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS3692 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 60m Ohms@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 4.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
|
AO4286 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 100V 20V 4A 2.5W 68mΩ@10V |
¥2.1795
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
AO4286 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 100V 20V 4A 2.5W 68mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
IRF7452TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@2.7A,10V N-Channel 100V 4.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
IRF7452PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60mΩ@2.7A,10V ±30V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 100V 4.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
¥26.4283
|
1,960 | 对比 |