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FDPF5N50T  与  IRFIB7N50APBF  区别

型号 FDPF5N50T IRFIB7N50APBF
唯样编号 A3t-FDPF5N50T A3t-IRFIB7N50APBF
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 500 V 1.4 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220F Single N-Channel 500 V 520 mOhms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 28W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.4 欧姆 @ 2.5A,10V 520 mOhms @ 4A,10V
漏源极电压Vds 500V 500V
Pd-功率耗散(Max) 28W(Tc) 60W(Tc)
Vgs(th) - 4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 5A(Tc) 6.6A(Tc)
系列 UniFET™ -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 640pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 640pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDPF5N50T ON Semiconductor 通用MOSFET

28W(Tc) 1.4 Ohms@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 5A N-Channel 500V 5A(Tc) ±30V 1.4 欧姆 @ 2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220F TO-220-3 整包

暂无价格 0 当前型号
IRFIB7N50APBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

6.6A(Tc) N-Channel 520 mOhms @ 4A,10V 60W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 500V

暂无价格 0 对比

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