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FDPF10N60NZ  与  SIHA12N60E-E3  区别

型号 FDPF10N60NZ SIHA12N60E-E3
唯样编号 A3t-FDPF10N60NZ A-SIHA12N60E-E3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 N-Channel 600 V 33 W 29 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率 38W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 750 毫欧 @ 5A,10V 380 mOhms @ 6A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) - 33W(Tc)
Vgs(th) - 4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3
连续漏极电流Id 10A(Tc) 12A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1475pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 50
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDPF10N60NZ ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SIHA12N60E-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

12A(Tc) N-Channel 380 mOhms @ 6A,10V 33W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V

暂无价格 50 对比

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