FDP52N20 与 SUP57N20-33-E3 区别
隐藏相同项高亮不同项

规格信息
型号	FDP52N20	SUP57N20-33-E3
唯样编号	A3t-FDP52N20	A3t-SUP57N20-33-E3
制造商	ON Semiconductor	Vishay
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	FDP52N20 Series 200 V 52 A 0.049 Ohm Through Hole N-Channel MOSFET - TO-220-3	Single N-Channel 200 V 0.033 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
数据表	FDP52N20.pdf	SUP57N20-33-E3.pdf SUP57N20-33-E3.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	357W(Tc)	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	49 毫欧 @ 26A,10V	33 mOhms @ 30A,10V
漏源极电压Vds	200V	200V
Pd-功率耗散(Max)	357W(Tc)	3.75W(Ta),300W(Tc)
Vgs(th)	-	4V @ 250uA
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V	-
栅极电压Vgs	±30V	-
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-220-3	TO-220-3
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~175°C
连续漏极电流Id	52A(Tc)	57A(Tc)
系列	UniFET™	-
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2900pF @ 25V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	63nC @ 10V	-
Vgs(最大值)	-	±20V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2900pF	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	63nC	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
FDP52N20	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB 52A N-Channel 200V 52A(Tc) ±30V 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3	暂无价格	0	当前型号
IRFB38N20DPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A TO-220AB	暂无价格	1,000	对比
IRFB42N20DPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±30V 2.4W(Ta),330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 55mΩ@26A,10V N-Channel 200V 44A TO-220AB	暂无价格	0	对比
SUP57N20-33-E3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	57A(Tc) N-Channel 33 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 200V	暂无价格	0	对比
SUP57N20-33-E3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	57A(Tc) N-Channel 33 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 200V	暂无价格	0	对比