FDP51N25 与 SUP40N25-60-E3 区别
| 型号 | FDP51N25 | SUP40N25-60-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDP51N25 | A3t-SUP40N25-60-E3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 250 V 60 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 320W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60 毫欧 @ 25.5A,10V | 60 mOhms @ 20A,10V |
| 漏源极电压Vds | 250V | 250V |
| Pd-功率耗散(Max) | 320W(Tc) | 3.75W(Ta),300W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 51A | 40A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 系列 | UniFET™ | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3410pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 70nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3410pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 70nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP51N25 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
51A(Tc) ±30V 320W(Tc) 60m Ohms@25.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 250V 51A 60 毫欧 @ 25.5A,10V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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STP50NF25 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 550 | 对比 |
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STP50NF25 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPP600N25N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 250V 25A 60mΩ 2V 136W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUP40N25-60-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 60 mOhms @ 20A,10V 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 250V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUP40N25-60-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 60 mOhms @ 20A,10V 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 250V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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