FDP3652 与 IRFB4710PBF 区别
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规格信息
型号	FDP3652	IRFB4710PBF
唯样编号	A3t-FDP3652	A-IRFB4710PBF
制造商	ON Semiconductor	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 100 V 16 mO PowerTrench Mosfet - TO-220AB	Single N-Channel 100 V 3.8 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表		IRFB4710PBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	150W(Tc)	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	16 毫欧 @ 61A,10V	14mΩ@45A,10V
漏源极电压Vds	100V	100V
Pd-功率耗散(Max)	150W(Tc)	3.8W(Ta),200W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-220AB	TO-220AB
连续漏极电流Id	9A	75A
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	-55°C~175°C(TJ)
系列	PowerTrench®	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2880pF @ 25V	6160pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	53nC @ 10V	170nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2880pF @ 25V	6160pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	53nC @ 10V	170nC @ 10V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
FDP3652	ON Semiconductor		通用MOSFET	9A(Ta),61A(Tc) ±20V 150W(Tc) 16m Ohms@61A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 100V 9A 16 毫欧 @ 61A,10V -55°C~175°C(TJ)	暂无价格	当前型号
AOT298L	AOS	数据手册	功率MOSFET	±20V 14.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 58A TO220 100W	暂无价格	对比
IRF8010PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 260W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@45A,10V N-Channel 100V 80A TO-220AB	暂无价格	对比
IRFB4710PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@45A,10V N-Channel 100V 75A TO-220AB	暂无价格	对比
IRFB4510PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.5mΩ@37A,10V N-Channel 100V 62A TO-220AB	暂无价格	对比
IRFB4610PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 190W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@44A,10V N-Channel 100V 73A TO-220AB	暂无价格	对比