FDP3632 与 PSMN012-80PS,127 区别
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规格信息
型号	FDP3632	PSMN012-80PS,127
唯样编号	A3t-FDP3632	A-PSMN012-80PS,127
制造商	ON Semiconductor	Nexperia
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	Single N-Channel 100 V 310 W 110 nC PowerTrench Through Hole Mosfet - TO-220-3	MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB
数据表		PSMN012-80PS.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	310W(Tc)	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	9 毫欧 @ 80A,10V	-
漏源极电压Vds	100V	80V
Pd-功率耗散(Max)	310W(Tc)	148W
输出电容	-	384pF
栅极电压Vgs	±20V	3V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-220-3	SOT78
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	175°C
连续漏极电流Id	12A(Ta),80A(Tc)	74A
系列	PowerTrench®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	6000pF @ 25V	-
输入电容	-	2782pF
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	110nC @ 10V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V	-
Rds On(max)@Id,Vgs	-	11mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	6000pF @ 25V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	110nC @ 10V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
FDP3632	ON Semiconductor		通用MOSFET	310W(Tc) 9m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 12A N-Channel 100V 12A(Ta),80A(Tc) ±20V 9 毫欧 @ 80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3	暂无价格	0	当前型号
STP100N8F6	STMicro	数据手册	功率MOSFET	-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V	暂无价格	500	对比
PSMN012-80PS,127	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT78 N-Channel 148W 175°C 3V 80V 74A	暂无价格	0	对比
STP100N8F6	STMicro	数据手册	功率MOSFET	-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V	暂无价格	0	对比
STP100N8F6	STMicro	数据手册	功率MOSFET	-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V	暂无价格	0	对比
PSMN9R5-100PS,127	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT78 N-Channel 211W 175°C 3V 100V 89A	暂无价格	0	对比