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FDP18N20F  与  IRF640PBF  区别

型号 FDP18N20F IRF640PBF
唯样编号 A3t-FDP18N20F A-IRF640PBF
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 200 V 145 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220 Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 100W(Tc) -
宽度 - 4.7mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 145 毫欧 @ 9A,10V 1.5Ω
上升时间 - 17ns
Qg-栅极电荷 - 8.2nC
栅极电压Vgs ±30V 2V
正向跨导 - 最小值 - 0.8S
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A(Tc) 3.3A
配置 - Single
长度 - 10.41mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 8.9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1180pF -
高度 - 15.49mm
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 100W(Tc) 36W
典型关闭延迟时间 - 14ns
FET类型 N-Channel -
系列 UniFET™ IRF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1180pF @ 25V 1300pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V 70nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 8.2ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC -
库存与单价
库存 0 20
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP18N20F ON Semiconductor 通用MOSFET

100W(Tc) 145m Ohms@9A,10V -55°C~150°C(TJ) 18A N-Channel 200V 18A(Tc) ±30V 145 毫欧 @ 9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRF640PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3

暂无价格 25,000 对比
IRF640PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3

暂无价格 20 对比
IRF640PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3

暂无价格 0 对比

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