| 型号 | FDP18N20F | IRF640PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDP18N20F | A-IRF640PBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 200 V 145 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220 | Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 100W(Tc) | - |
| 宽度 | - | 4.7mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 145 毫欧 @ 9A,10V | 1.5Ω |
| 上升时间 | - | 17ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 8.2nC |
| 栅极电压Vgs | ±30V | 2V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 0.8S |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 18A(Tc) | 3.3A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10.41mm |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | 10V |
| 下降时间 | - | 8.9ns |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1180pF | - |
| 高度 | - | 15.49mm |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 100W(Tc) | 36W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 14ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 系列 | UniFET™ | IRF |
| 电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 25V | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1180pF @ 25V | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26nC @ 10V | 70nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 8.2ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 20 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP18N20F | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
100W(Tc) 145m Ohms@9A,10V -55°C~150°C(TJ) 18A N-Channel 200V 18A(Tc) ±30V 145 毫欧 @ 9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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IRF640PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3 |
暂无价格 | 25,000 | 对比 |
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IRF640PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3 |
暂无价格 | 20 | 对比 |
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IRF640PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |