FDN5630SOT-23 与 SI2308BDS-T1-GE3 区别
| 型号 | FDN5630SOT-23 | SI2308BDS-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDN5630SOT-23 | A3-SI2308BDS-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 零件号别名 | - | SI2308BDS-GE3 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 156mΩ |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.09W(Ta),1.66W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 连续漏极电流Id | - | 1.9A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | SI |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 190pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 6.8nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 33,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDN5630SOT-23 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) 156m Ohms@1.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 1.9A 156mΩ |
暂无价格 | 33,000 | 对比 | ||||
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) 156m Ohms@1.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 1.9A 156mΩ |
￥0.8
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240 | 对比 | ||||
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) 156m Ohms@1.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 1.9A 156mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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