FDN5618P 与 ZXMP6A13FTA 区别
| 型号 | FDN5618P | ZXMP6A13FTA | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-FDN5618P | A36-ZXMP6A13FTA | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | P-Channel 60 V 0.170 Ohm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 | MOSFET | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | - | 1.4mm | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 230mΩ@-1A,-4.5V | 600mΩ | ||||||||
| 上升时间 | - | 2.2ns | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 5.9nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 1.8S | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | -1.25A | 1.1A | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 长度 | - | 3.04mm | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 下降时间 | - | 5.7ns | ||||||||
| 高度 | - | 1.02mm | ||||||||
| 漏源极电压Vds | -60V | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.5W | 806mW | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 11.2ns | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 系列 | - | ZXMP6A | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 219pF @ 30V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 10V | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 1.6ns | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 4,447 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDN5618P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel 0.5W 230mΩ@-1A,-4.5V -55°C~150°C ±20V -60V -1.25A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel |
￥0.9625
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4,447 | 对比 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 60V 1.2A 345mΩ |
￥1.1582
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100 | 对比 | ||||||||||
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SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 60V 1.2A 345mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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