FDN5618P 与 SI2309CDS-T1-GE3 区别
| 型号 | FDN5618P | SI2309CDS-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDN5618P | A-SI2309CDS-T1-GE3 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | P-Channel 60 V 0.170 Ohm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 | MOSFET | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | - | 1.6 mm | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 230mΩ@-1A,-4.5V | 345mΩ | ||
| 零件号别名 | - | SI2309CDS-GE3 | ||
| 漏源极电压Vds | -60V | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.5W | 1W(Ta),1.7W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | -1.25A | 1.2A | ||
| 系列 | - | SI | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||
| 长度 | - | 2.9 mm | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 210pF @ 30V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4.1nC @ 4.5V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 高度 | - | 1.45 mm | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 100 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDN5618P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel 0.5W 230mΩ@-1A,-4.5V -55°C~150°C ±20V -60V -1.25A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel |
￥0.9625
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4,447 | 对比 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 60V 1.2A 345mΩ |
￥1.1582
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100 | 对比 | ||||||||||
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SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 60V 1.2A 345mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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