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FDN537N  与  SI2338DS-T1-GE3  区别

型号 FDN537N SI2338DS-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDN537N A3t-SI2338DS-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 N-Channel 30 V 28 mOhm 13 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.5W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 23 毫欧 @ 6.5A,10V 23mΩ
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.3W(Ta),2.5W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.5A(Ta),6.5A(Tc) 6A
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 424pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 465pF @ 15V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.4nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN537N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±20V 23 毫欧 @ 6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 N-Channel 30V 6.5A(Ta),6.5A(Tc) SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
DMN3033LSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.4W(Ta) 30mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 6A

暂无价格 0 对比
DMN3033LSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.4W(Ta) 30mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 6A

暂无价格 0 对比
SI2338DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 1.3W(Ta),2.5W(Tc) 28m Ohms@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 N-Channel 30V 6A 23mΩ

¥1.3941 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.3941
0 对比
SI2338DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A(Tc) ±20V 1.3W(Ta),2.5W(Tc) 28m Ohms@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 N-Channel 30V 6A 23mΩ

暂无价格 0 对比

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