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FDN371N  与  SI2302CDS-T1-E3  区别

型号 FDN371N SI2302CDS-T1-E3
唯样编号 A3t-FDN371N A-SI2302CDS-T1-E3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 0.057 Ohm 0.71 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 50 毫欧 @ 2.5A,4.5V 57 mOhms @ 3.6A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 710mW(Ta)
Vgs(th) - 850mV @ 250uA
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.5A(Ta) 2.6A(Ta)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 815pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.7nC @ 4.5V -
Vgs(最大值) - ±8V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 815pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.7nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN371N ON Semiconductor 通用MOSFET

500mW(Ta) 50m Ohms@2.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT 2.5A N-Channel 20V 2.5A(Ta) ±12V 50 毫欧 @ 2.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
SI2302CDS-T1-E3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

2.6A(Ta) N-Channel 57 mOhms @ 3.6A,4.5V 710mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 对比
SI2302CDS-T1-E3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

2.6A(Ta) N-Channel 57 mOhms @ 3.6A,4.5V 710mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 对比
SI2302CDS-T1-E3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

2.6A(Ta) N-Channel 57 mOhms @ 3.6A,4.5V 710mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 对比

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