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FDN361BN  与  SI2300DS-T1-GE3  区别

型号 FDN361BN SI2300DS-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDN361BN A3t-SI2300DS-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 110 mOhm Logic Level PowerTrench - SSOT-3 Single N-Channel 30 V 68 mO 3 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 110 毫欧 @ 1.4A,10V 68mΩ@2.9A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.1W(Ta),1.7W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.4A(Ta) 3.6A
系列 PowerTrench® TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 193pF @ 15V 320pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.8nC @ 4.5V 10nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 193pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.8nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN361BN ON Semiconductor 通用MOSFET

500mW(Ta) 110m Ohms@1.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT 1.4A N-Channel 30V 1.4A(Ta) ±20V 110 毫欧 @ 1.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
SI2300DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 30V 3.6A 68mΩ@2.9A,4.5V

暂无价格 49 对比
SI2300DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 30V 3.6A 68mΩ@2.9A,4.5V

暂无价格 0 对比
SI2300DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.1W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 30V 3.6A 68mΩ@2.9A,4.5V

暂无价格 0 对比

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