FDN358P 与 DMP3160L-7 区别
| 型号 | FDN358P | DMP3160L-7 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDN358P | A36-DMP3160L-7 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 | P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率 | 500mW(Ta) | - | ||||
| 宽度 | - | 1.3mm | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 125 毫欧 @ 1.5A,10V | 122mΩ | ||||
| 上升时间 | - | 7.3ns | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 8.2nC | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1.3V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 5.9S | ||||
| 封装/外壳 | SuperSOT | SOT-23 | ||||
| 连续漏极电流Id | 1.5A | 2.7A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 长度 | - | 2.9mm | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||
| 下降时间 | - | 13.4ns | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 182pF @ 15V | - | ||||
| 高度 | - | 1mm | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) | 1.08W | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 22.5ns | ||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||
| 系列 | PowerTrench® | DMP31 | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 182pF @ 15V | 227pF @ 10V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.6nC @ 10V | - | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 4.8ns | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.6nC @ 10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 1,432 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDN358P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.5A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 125m Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 30V 1.5A 125 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
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AO3403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
￥0.6006
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19,178 | 对比 | ||||||||||
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AO3409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -2.6A 1.4W 110mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
￥0.5915
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4,600 | 对比 | ||||||||||
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FDN352AP | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 500mW 180mΩ@-1.3A,-10V -55°C~150°C ±25V -30V -1.3A |
￥0.9009
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2,210 | 对比 | ||||||||||
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DMP3160L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V |
￥0.4563
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1,432 | 对比 | ||||||||||
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AO3403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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