FDN357N 与 ZXMN3A01FTA 区别
| 型号 | FDN357N | ZXMN3A01FTA | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDN357N | A36-ZXMN3A01FTA | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率 | 500mW(Ta) | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60 毫欧 @ 2.2A,10V | 120mΩ@2.5A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) | 625mW(Ta) | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SuperSOT | SOT-23 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.9A | 2A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | 1V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 10V | 190pF @ 25V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.9nC @ 5V | 3.9nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 10V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.9nC @ 5V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
|
AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
￥0.6149
|
95,319 | 对比 | ||||||||||||
|
AO3406 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V |
￥0.7876
|
15,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
AO3434A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 12V 4A 1.4W 52mΩ@10V |
￥0.6204
|
5,032 | 对比 | ||||||||||||
|
AO3418 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 60mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C |
￥0.7876
|
4,277 | 对比 | ||||||||||||
|
ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 625mW(Ta) 120mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A |
￥1.43
|
3,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
