| 型号 | FDN357N | AO3434A | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-FDN357N | A36-AO3434A | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 20 | ||||||||
| 功率 | 500mW(Ta) | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60 毫欧 @ 2.2A,10V | 52mΩ@10V | ||||||||
| ESD Diode | - | Yes | ||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 60mΩ | ||||||||
| Rds On(Max)@2.5V | - | 78mΩ | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 1 Ohms | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 12V | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 2 | ||||||||
| 封装/外壳 | SuperSOT | SOT23-3 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.9A | 4A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 245 | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 10V | - | ||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||
| Trr(ns) | - | 6.5 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 22 Ohms | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) | 1.4W | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 7.5 | ||||||||
| VGS(th) | - | 1.5 | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 10V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.9nC @ 5V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.9nC @ 5V | - | ||||||||
| Coss(pF) | - | 35 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 2.6 | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 5,032 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
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AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
￥0.6149
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95,319 | 对比 | ||||||||||||
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AO3406 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V |
￥0.7876
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15,000 | 对比 | ||||||||||||
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AO3434A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 12V 4A 1.4W 52mΩ@10V |
￥0.6204
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5,032 | 对比 | ||||||||||||
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AO3418 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 60mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C |
￥0.7876
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4,277 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 625mW(Ta) 120mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A |
￥1.43
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3,000 | 对比 |
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