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FDN340P-NL  与  SI2301CDS-T1-E3  区别

型号 FDN340P-NL SI2301CDS-T1-E3
唯样编号 A3t-FDN340P-NL A3t-SI2301CDS-T1-E3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述 P-Channel 20 V112 mO 5.5 nC SMT TrenchFET Power Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - SOT-23-3
连续漏极电流Id - 3.1A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 112 mOhms @ 2.8A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 860mW(Ta),1.6W(Tc)
Vgs(最大值) - ±8V
Vgs(th) - 1V @ 250uA
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN340P-NL ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SI2301CDS-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.1A(Tc) P-Channel 112 mOhms @ 2.8A,4.5V 860mW(Ta),1.6W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V

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SI2301CDS-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.1A(Tc) P-Channel 112 mOhms @ 2.8A,4.5V 860mW(Ta),1.6W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 对比
SI2301CDS-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.1A(Tc) P-Channel 112 mOhms @ 2.8A,4.5V 860mW(Ta),1.6W(Tc) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V

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