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FDN336P  与  NVR1P02T1G  区别

型号 FDN336P NVR1P02T1G
唯样编号 A3t-FDN336P A3-NVR1P02T1G
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 20V 0.2 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 200 毫欧 @ 1.3A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) -
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SuperSOT-3 SOT-23-3(TO-236)
连续漏极电流Id 1.3A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 9,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN336P ON Semiconductor 通用MOSFET

1.3A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 200m Ohms@1.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 1.3A 200 毫欧 @ 1.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3

暂无价格 0 当前型号
AO3403 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C

¥0.6006 

阶梯数 价格
90: ¥0.6006
200: ¥0.4888
1,500: ¥0.4446
3,000: ¥0.416
19,178 对比
AO3423 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 P-Channel -20V ±12V -2A 1.4W 92mΩ@-2A,-10V -55°C~150°C

¥0.5819 

阶梯数 价格
90: ¥0.5819
200: ¥0.4745
1,500: ¥0.4316
3,000: ¥0.403
11,088 对比
NVR1P02T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236) 车规

暂无价格 9,000 对比
SI2301A-TP MCC 小信号MOSFET

SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 2.8A 120mΩ@2.8A,4.5V 20V 1.25W ±8V

暂无价格 6,000 对比
DMP2225L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.08W(Ta) 110mΩ@2.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.6A

¥0.3437 

阶梯数 价格
150: ¥0.3437
200: ¥0.2563
1,500: ¥0.2219
3,000: ¥0.1977
4,459 对比

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