FDN306P 与 AO3415 区别
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规格信息
型号	FDN306P	AO3415
唯样编号	A3t-FDN306P	A3-AO3415
制造商	ON Semiconductor	AOS
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	P-Channel 12 V 40 mOhm 1.8 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表	FDN306P.pdf	AO3415.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Crss(pF)	-	80
Rds On(Max)@Id,Vgs	40m Ohms@2.6A,4.5V	41mΩ@-4A,-4.5V
ESD Diode	-	Yes
Rds On(Max)@1.8V	-	65mΩ
Rds On(Max)@2.5V	-	53mΩ
Qgd(nC)	-	2.2
栅极电压Vgs	±8V	±8V
Td(on)(ns)	-	13
封装/外壳	SOT-23-3	SOT-23-3
连续漏极电流Id	2.6A	-4A
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C
Ciss(pF)	-	751
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V	-
Trr(ns)	-	26
Td(off)(ns)	-	19
漏源极电压Vds	12V	-20V
Pd-功率耗散(Max)	500mW(Ta)	1.5W
Qrr(nC)	-	51
VGS(th)	-	-0.9
FET类型	P-Channel	P-Channel
系列	PowerTrench®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1138pF @ 6V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	17nC @ 4.5V	-
Coss(pF)	-	115
Qg*(nC)	-	9.3
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
FDN306P	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	2.6A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 40m Ohms@2.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 12V 2.6A SOT-23-3	暂无价格	0	当前型号
AO3415	AOS	数据手册	功率MOSFET	SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -4A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C	暂无价格	1,828	对比
IRLML6401TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±8V 1.3W(Ta) 50mΩ@4.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 4.3A 12V SOT-23	暂无价格	0	对比
AO3415	AOS	数据手册	功率MOSFET	SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -4A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C	暂无价格	0	对比
SI2333DDS-T1-GE3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±8V 1.2W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -12V -6A 28mΩ@5A,4.5V	暂无价格	149	对比