FDN306P 与 IRLML6401TRPBF 区别
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规格信息
型号	FDN306P	IRLML6401TRPBF
唯样编号	A3t-FDN306P	A-IRLML6401TRPBF
制造商	ON Semiconductor	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	P-Channel 12 V 40 mOhm 1.8 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
数据表	FDN306P.pdf	IRLML6401TRPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	40m Ohms@2.6A,4.5V	50mΩ@4.3A,4.5V
漏源极电压Vds	12V	12V
Pd-功率耗散(Max)	500mW(Ta)	1.3W(Ta)
栅极电压Vgs	±8V	±8V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	-	5V
FET类型	P-Channel	P-Channel
封装/外壳	SOT-23-3	SOT-23
连续漏极电流Id	2.6A	4.3A
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
系列	PowerTrench®	HEXFET®
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	-	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA	950mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1138pF @ 6V	830pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	17nC @ 4.5V	15nC @ 5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V	1.8V,4.5V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
FDN306P	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	2.6A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 40m Ohms@2.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 12V 2.6A SOT-23-3	暂无价格	0	当前型号
AO3415	AOS	数据手册	功率MOSFET	SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -4A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C	暂无价格	1,828	对比
IRLML6401TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±8V 1.3W(Ta) 50mΩ@4.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 4.3A 12V SOT-23	暂无价格	0	对比
AO3415	AOS	数据手册	功率MOSFET	SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -4A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C	暂无价格	0	对比
SI2333DDS-T1-GE3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±8V 1.2W(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -12V -6A 28mΩ@5A,4.5V	暂无价格	149	对比