FDMS8692 与 SIRA12DP-T1-GE3 区别
| 型号 | FDMS8692 | SIRA12DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDMS8692 | A3t-SIRA12DP-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 2.5W(Ta),41W(Tc) | - |
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9 毫欧 @ 12A,10V | 3.2mΩ |
| 上升时间 | - | 10ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 45nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1.1V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 51S |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | PowerPAK-SO-8 |
| 连续漏极电流Id | 12A(Ta),28A(Tc) | 60A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 6.15mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | - | 10ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1265pF @ 15V | - |
| 高度 | - | 1.04mm |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 31W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 25ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 系列 | - | SIR |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 典型接通延迟时间 | - | 10ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 21nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDMS8692 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
60A 31W 3.2mΩ 30V 1.1V PowerPAK-SO-8 -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
60A 31W 3.2mΩ 30V 1.1V PowerPAK-SO-8 -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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