FDMS86500L 与 SIR662DP-T1-GE3 区别
| 型号 | FDMS86500L | SIR662DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDMS86500L | A-SIR662DP-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 2.5W(Ta),104W(Tc) | - |
| 宽度 | - | 5.15 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.5 毫欧 @ 25A,10V | 2.7mΩ |
| 零件号别名 | - | SIR662DP-GE3 |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),104W(Tc) | 6.25W(Ta),104W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | Power | SOIC-8 |
| 连续漏极电流Id | 25A | 60A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | PowerTrench® | SIR |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 30V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 12530pF @ 30V | 4365pF @ 30V |
| 长度 | - | 6.15 mm |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 165nC @ 10V | 96nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 12530pF @ 30V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 165nC @ 10V | - |
| 高度 | - | 1.04 mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 55 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS86500L | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
25A(Ta),80A(Tc) ±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 2.5m Ohms@25A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN Power N-Channel 60V 25A 2.5 毫欧 @ 25A,10V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
BSC028N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 2.8mΩ 10V 83W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 55 | 对比 |
|
|
SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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