FDMS8460CT-ND 与 SIR414DP-T1-GE3 区别
| 型号 | FDMS8460CT-ND | SIR414DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDMS8460CT-ND | A3t-SIR414DP-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 40 V 0.0028 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPak-SO-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | - | PowerPAK® SO-8 |
| 连续漏极电流Id | - | 50A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.8 mOhms @ 20A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 5.4W(Ta),83W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS8460CT-ND | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
|
SIR414DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
50A(Tc) N-Channel 2.8 mOhms @ 20A,10V 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
￥8.1928
|
663 | 对比 | ||||||
|
|
SIR414DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
50A(Tc) N-Channel 2.8 mOhms @ 20A,10V 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
