FDMS8460CT-ND 与 SIR414DP-T1-GE3 区别
| 型号 | FDMS8460CT-ND | SIR414DP-T1-GE3 | ||||
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| 唯样编号 | A3t-FDMS8460CT-ND | A36-SIR414DP-T1-GE3 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 40 V 0.0028 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPak-SO-8 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | - | PowerPAK® SO-8 | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 50A(Tc) | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.8 mOhms @ 20A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 40V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 5.4W(Ta),83W(Tc) | ||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||
| Vgs(th) | - | 2.5V @ 250uA | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 663 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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FDMS8460CT-ND | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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SIR414DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
50A(Tc) N-Channel 2.8 mOhms @ 20A,10V 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
￥8.1928
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663 | 对比 | ||||||
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SIR414DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
50A(Tc) N-Channel 2.8 mOhms @ 20A,10V 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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