FDME410NZT 与 SIB422EDK-T1-GE3 区别
| 型号 | FDME410NZT | SIB422EDK-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDME410NZT | A3t-SIB422EDK-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 20 V 7 A 14 mOhm Power Trench® Mosfet - MicorFET | Single N-Channel 20 V 0.030 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SC-75-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 2.1W(Ta) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 26 毫欧 @ 7A,4.5V | 30 mOhms @ 5A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.1W(Ta) | 2.5W(Ta),13W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 1V @ 250uA |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | - |
| 栅极电压Vgs | ±8V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 6-PoweruFDFN | PowerPAK® SC-75-6L |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 7A(Ta) | 9A(Tc) |
| 系列 | PowerTrench® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 10V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1025pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13nC @ 4.5V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±8V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1025pF | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDME410NZT | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2.1W(Ta) 26m Ohms@7A,4.5V -55°C~150°C(TJ) MicroFET 7A N-Channel 20V 7A(Ta) ±8V 26 毫欧 @ 7A,4.5V -55°C~150°C(TJ) MicroFet 1.6x1.6 薄型 6-PoweruFDFN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
SIB422EDK-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
9A(Tc) N-Channel 30 mOhms @ 5A,4.5V 2.5W(Ta),13W(Tc) PowerPAK® SC-75-6L -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
