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FDMC8327L  与  ILC0402ER6N8J  区别

型号 FDMC8327L ILC0402ER6N8J
唯样编号 A3t-FDMC8327L A3t-ILC0402ER6N8J
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 贴片电感
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.3W(Ta),30W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.7 毫欧 @ 12A,10V -
电感 - 6.8nH
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta),30W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
额定电流 - 300mA
封装/外壳 8-PowerWDFN 0402
DC电阻(DCR) - 250m Ohms
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C~105°C
连续漏极电流Id 12A(Ta),14A(Tc) -
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1850pF @ 20V -
偏差 - ±5%
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1850pF @ 20V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMC8327L ON Semiconductor 功率MOSFET

2.3W(Ta),30W(Tc) 9.7m Ohms@12A,10V -55°C~150°C(TJ) MLP 12A N-Channel 40V 12A(Ta),14A(Tc) ±20V 9.7 毫欧 @ 12A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN

暂无价格 0 当前型号
ILC0402ER6N8J Vishay  数据手册 贴片电感

250m Ohms ±5% 0402 6.8nH 300mA

暂无价格 0 对比

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