FDMC8296 与 SIS414DN-T1-GE3 区别
| 型号 | FDMC8296 | SIS414DN-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDMC8296 | A3t-SIS414DN-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | 30V, 20A, 0.016 Ohms, PowerPAK 1212-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 2.3W(Ta),27W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8 毫欧 @ 12A,10V | 16 mOhms @ 10A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W(Ta),27W(Tc) | 3.4W(Ta),31W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 1.5V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN | PowerPAK® 1212-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 12A(Ta),18A(Tc) | 20A(Tc) |
| 系列 | PowerTrench® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1385pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±12V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1385pF @ 15V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC8296 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2.3W(Ta),27W(Tc) 8m Ohms@12A,10V -55°C~150°C(TJ) Power 12A N-Channel 30V 12A(Ta),18A(Tc) ±20V 8 毫欧 @ 12A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
SIS414DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
20A(Tc) N-Channel 16 mOhms @ 10A,4.5V 3.4W(Ta),31W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
