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FDMC2523P  与  SI7117DN-T1-GE3  区别

型号 FDMC2523P SI7117DN-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDMC2523P A3t-SI7117DN-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 150 V 1.5 Ohm Surface Mount DMOS Mosfet - MLP-3.3 x 3.3 mm MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.5 Ohms@1.5A,10V 1.2Ω
零件号别名 - SI7117DN-GE3
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 42W(Tc) 3.2W(Ta),12.5W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-MLP(3.3x3.3) PowerPak1212-8
连续漏极电流Id 1.8A 1.1A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 QFET® SI
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF @ 25V 510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 10V 12nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMC2523P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

3A(Tc) ±30V 42W(Tc) 1.5 Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 150V 1.8A 8-MLP(3.3x3.3)

暂无价格 0 当前型号
SI7117DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.2W(Ta),12.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 150V 1.1A 1.2Ω

暂无价格 0 对比
SI7117DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.2W(Ta),12.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 150V 1.1A 1.2Ω

暂无价格 0 对比

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