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FDMA7628  与  SIA448DJ-T1-GE3  区别

型号 FDMA7628 SIA448DJ-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDMA7628 A3t-SIA448DJ-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.9W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.5 毫欧 @ 9.4A,4.5V 15 mOhms @ 12.4A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.9W(Ta) 3.5W(Ta),19.2W(Tc)
Vgs(th) - 1V @ 250uA
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘 PowerPAK® SC-70-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 9.4A(Ta) 12A(Tc)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.5nC @ 4.5V -
Vgs(最大值) - ±8V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1680pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.5nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMA7628 ON Semiconductor 通用MOSFET

1.9W(Ta) 14.5m Ohms@9.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-WDFN MicroFET 9.4A N-Channel 20V 9.4A(Ta) ±8V 14.5 毫欧 @ 9.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-MicroFET(2x2) 6-WDFN 裸露焊盘

暂无价格 0 当前型号
SIA448DJ-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

12A(Tc) N-Channel 15 mOhms @ 12.4A,4.5V 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 20V

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