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FDMA6023PZT  与  SIA907EDJT-T1-GE3  区别

型号 FDMA6023PZT SIA907EDJT-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDMA6023PZT A3t-SIA907EDJT-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual P-Channel 20 V 0.06 O 12 nC PowerTrench Mosfet - MicroFET-6EP 2x2 SiA907EDJT Series Dual P Channel 20 V 0.057 Ohm 7.8 W Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 7/10W -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 毫欧 @ 3.6A,4.5V 57 mOhms @ 3.6A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 700mW 7.8W
Vgs(th) - 1.4V @ 250uA
FET类型 逻辑电平门 2P-Channel
封装/外壳 6-MicroFET(2x2) PowerPAK® SC-70-6 双
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 3.6A 4.5A(Tc)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 885pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 885pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMA6023PZT ON Semiconductor 通用MOSFET

2P-Channel 60m Ohms@3.6A,4.5V 700mW -55°C~150°C(TJ) MicroFET P-Channel 2 个 P 沟道(双) 逻辑电平门 20V 3.6A 60 毫欧 @ 3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-UDFN 裸露焊盘 6-MicroFET(2x2)

暂无价格 0 当前型号
SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Tc) 2P-Channel 57 mOhms @ 3.6A,4.5V 7.8W PowerPAK® SC-70-6 双 -55°C~150°C 20V

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