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FDMA1028NZ  与  SIA906EDJ-T1-GE3  区别

型号 FDMA1028NZ SIA906EDJ-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDMA1028NZ A-SIA906EDJ-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual N-Channel 20 V 68 mOhm PowerTrench Mosfet MicroFET 2x2 Dual N Channel 20 V 0.046 O 3.5 nC Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L Dual
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 7/10W -
Rds On(Max)@Id,Vgs 68 毫欧 @ 3.7A,4.5V 46mΩ
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 700mW 7.8W
FET类型 逻辑电平门 N-Channel
封装/外壳 6-MicroFET(2x2) SC-70-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.7A 4.5A
系列 PowerTrench® TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 10V 350pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6nC @ 4.5V 12nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMA1028NZ ON Semiconductor 通用MOSFET

68m Ohms@3.7A,4.5V 700mW -55°C~150°C(TJ) MLP N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 20V 3.7A 68 毫欧 @ 3.7A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-VDFN 裸露焊盘 6-MicroFET(2x2)

暂无价格 0 当前型号
SIA906EDJ-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 46m Ohms@3.9A,4.5V 7.8W -55°C~150°C(TJ) PowerPAK® SC-70-6 双 SC-70-6 N-Channel 20V 4.5A 46mΩ

暂无价格 30 对比
SIA906EDJ-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 46m Ohms@3.9A,4.5V 7.8W -55°C~150°C(TJ) PowerPAK® SC-70-6 双 SC-70-6 N-Channel 20V 4.5A 46mΩ

暂无价格 0 对比

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