FDG8842CZ 与 DMG1016UDWQ-7 区别
| 型号 | FDG8842CZ | DMG1016UDWQ-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-FDG8842CZ | A36-DMG1016UDWQ-7 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual N & P-Channel 400 mOhm Complementary PowerTrench MOSFET-SC-70-6 | MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率 | 3/10W | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 400 毫欧 @ 750mA,4.5V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V,25V | 20V | ||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 300mW | - | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 450mΩ@600mA,4.5V | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V | ||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N 和 P 沟道互补型 | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V | ||||||||
| 封装/外壳 | SC-70-6 | SOT-363 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 750mA,410mA | 1.066A (Ta), 845mA (Ta) | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 120pF @ 10V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.44nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 120pF @ 10V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.44nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 5,894 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDG8842CZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30V,25V 750mA,410mA 400m Ohms@750mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 N+P-Channel 400 毫欧 @ 750mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
￥0.6149
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9,000 | 对比 | ||||||||||
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DMG1016UDWQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 和 P 沟道互补型 SOT-363 -55°C~150°C(TJ) 20V 1.066A (Ta), 845mA (Ta) 车规 |
￥0.5517
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5,894 | 对比 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SI1539CDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 700mA,500mA 388mΩ@600mA,10V 340mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 30V 700mA 323mΩ,740mΩ |
暂无价格 | 50 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
