FDG6317NZ 与 SI1902CDL-T1-GE3 区别
| 型号 | FDG6317NZ | SI1902CDL-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDG6317NZ | A3t-SI1902CDL-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 0.235 Ohm 0.42 W Surface Mount Mosfet - SC-70-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | - | SC-70-6 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 1.1A |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 235mΩ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 62pF @ 10V |
| 漏源极电压Vds | - | 1.5V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 420mW |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 3nC @ 10V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDG6317NZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
|
|
SI1902CDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
420mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 1.1A 235mΩ 1.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SI1902CDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
420mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 1.1A 235mΩ 1.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
