FDG6316P 与 SI1965DH-T1-GE3 区别
| 型号 | FDG6316P | SI1965DH-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDG6316P | A3t-SI1965DH-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | Dual P-Channel 12 V 390 mO 1.7 nC Power Mosfet - SOT-363 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 1.25mm | - |
| 功率 | 3/10W | - |
| 零件号别名 | FDG6316P_NL | - |
| 正向跨导-最小值 | 2.5 S | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 650 m0hms | 390 mOhms @ 1A,4.5V |
| 上升时间 | 13 ns | - |
| 引脚数目 | 6 | - |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | - |
| Vgs(th) | - | 1V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | -8 V、+8 V | - |
| 封装/外壳 | 2.0*1.25*1.0mm | SOT-363 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 700 mA | 1.3A |
| 配置 | Dual | - |
| 长度 | 2.00mm | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | - |
| 每片芯片元件数目 | 2 | - |
| 最高工作温度 | +150 °C | - |
| 高度 | 1mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 8 ns | - |
| 漏源极电压Vds | 146 pF @ -6 V | 12V |
| 晶体管材料 | Si | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 300mW | 1.25W |
| 晶体管配置 | 隔离式 | - |
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns | - |
| FET类型 | 增强 | 2P-Channel |
| 系列 | PowerTrench | - |
| 通道数量 | 2 Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 146pF @ 6V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.4nC @ 4.5V | - |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDG6316P | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
8V 270mΩ@700mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 P-Channel 12V 0.7A 700 mA 12 V 650 m0hms -8 V、+8 V SOT-363 (SC-70) 增强 2.0*1.25*1.0mm 146 pF @ -6 V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SI1965DH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.3A 2P-Channel 390 mOhms @ 1A,4.5V 1.25W SOT-363 -55°C~150°C 12V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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