尊敬的客户:中秋节9-25至9-27我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > FDG6306PD87Z代替型号比较

FDG6306PD87Z  与  SI1967DH-T1-E3  区别

型号 FDG6306PD87Z SI1967DH-T1-E3
唯样编号 A3t-FDG6306PD87Z A3-SI1967DH-T1-E3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 1.25W
漏源极电压Vds - 20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 - SC-70-6
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 1.3A
系列 - SI
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 110pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4nC @ 8V
电压 - 20V
导通电阻Rds(On) - 490mΩ
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDG6306PD87Z ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SI1967DH-T1-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 20V 1.3A 490mΩ 1.25W

暂无价格 0 对比
SI1967DH-T1-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 20V 1.3A 490mΩ 1.25W

暂无价格 0 对比
SI1967DH-T1-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 20V 1.3A 490mΩ 1.25W

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售