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FDG6303N  与  SIA922EDJ-T1-GE3  区别

型号 FDG6303N SIA922EDJ-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDG6303N A3t-SIA922EDJ-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-323 PowerPAK® SC-70-6 双
连续漏极电流Id - 4.5A
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 64 mOhms @ 3A,4.5V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 7.8W
Vgs(th) - 1.4V @ 250uA
FET类型 - 2N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDG6303N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-323

暂无价格 0 当前型号
SIA922EDJ-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.5A 2N-Channel 64 mOhms @ 3A,4.5V 7.8W PowerPAK® SC-70-6 双 -55°C~150°C 30V

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