FDG328P 与 ZXM62P02E6TA 区别
| 型号 | FDG328P | ZXM62P02E6TA | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3t-FDG328P | A36-ZXM62P02E6TA | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | P-Channel 20 V 145 mOhm 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | ZXM62P02E6 20 V 0.2 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23-6 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率 | 750mW(Ta) | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 145 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 200mΩ@1.6A,4.5V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 750mW(Ta) | 1.1W(Ta) | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±12V | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SC-70 | SOT-23 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.5A | 2.3A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | 700mV @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 337pF @ 10V | 320pF @ 15V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6nC @ 4.5V | 5.8nC @ 4.5V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 2.7V,4.5V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 337pF @ 10V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6nC @ 4.5V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDG328P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.5A(Ta) ±12V 750mW(Ta) 145m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-70 P-Channel 20V 1.5A 145 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
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ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.1W(Ta) 200mΩ@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.3A |
￥2.029
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.1W(Ta) 200mΩ@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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PMG85XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 P-Channel 0.375W 150°C 12V,-0.9V -20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.1W(Ta) 200mΩ@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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PMG85XPH | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 P-Channel 0.375W 150°C -0.9V,12V -20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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