FDG1024NZ 与 SI1922EDH-T1-GE3 区别
| 型号 | FDG1024NZ | SI1922EDH-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDG1024NZ | A36-SI1922EDH-T1-GE3 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 175 mO 360 mW Surface Mount PowerTrench® Mosfet SC-70-6 | Dual N-Channel 20 V 198 mOhm 1.25 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-363 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率 | 3/10W | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 175 毫欧 @ 1.2A,4.5V | 198 mOhms @ 1A,4.5V | ||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 300mW | 1.25W | ||
| Vgs(th) | - | 1V @ 250uA | ||
| FET类型 | 逻辑电平门 | 2N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SC-70-6 | SOT-363 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 1.2A | 1.3A | ||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 150pF @ 10V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.6nC @ 4.5V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 150pF @ 10V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.6nC @ 4.5V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 72 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDG1024NZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
175m Ohms@1.2A,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 20V 1.2A 175 毫欧 @ 1.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-70-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||
|
SI1922EDH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.3A 2N-Channel 198 mOhms @ 1A,4.5V 1.25W SOT-363 -55°C~150°C 20V |
￥1.155
|
72 | 对比 | ||||
|
|
SI1922EDH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.3A 2N-Channel 198 mOhms @ 1A,4.5V 1.25W SOT-363 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
