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FDD6296  与  SUD50N04-8M8P-4GE3  区别

型号 FDD6296 SUD50N04-8M8P-4GE3
唯样编号 A3t-FDD6296 A-SUD50N04-8M8P-4GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 8.8 mOhm Surface Mount Fast Switching PowerTrench Mosfet TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3.8W(Ta),52W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8 毫欧 @ 15A,10V 8.8mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),52W(Tc) 3.1W(Ta),48.1W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 15A(Ta),50A(Tc) 14A
系列 PowerTrench® SUD
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1440pF @ 15V 2400pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 31.5nC @ 10V 56nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1440pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 31.5nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
2,500+ :  ¥3.0573
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD6296 ON Semiconductor 通用MOSFET

3.8W(Ta),52W(Tc) 8.8mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 TO-252AA 15A N-Channel 30V 15A(Ta),50A(Tc) ±20V 8.8 毫欧 @ 15A,10V -55°C~175°C(TJ) D-PAK(TO-252) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 8.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 40V 14A

暂无价格 7,500 对比
SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 8.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 40V 14A

¥3.0573 

阶梯数 价格
2,500: ¥3.0573
0 对比
SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 8.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 40V 14A

暂无价格 0 对比

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