FDD5N50NZFTM 与 SIHU3N50D-GE3 区别
| 型号 | FDD5N50NZFTM | SIHU3N50D-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDD5N50NZFTM | A3t-SIHU3N50D-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 500 V 1.75 Ohm 12 nC 62.5 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 62.5W | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.75 欧姆 @ 1.85A,10V | 3.2 Ohms @ 2.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 500V | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 62.5W(Tc) | 69W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 5V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±25V | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-251AA |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 3.7A(Tc) | 3A(Tc) |
| 系列 | UniFET-II™ | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 485pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 485pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD5N50NZFTM | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
62.5W(Tc) 1.75 Ohms@1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 3.7A N-Channel 500V 3.7A(Tc) ±25V 1.75 欧姆 @ 1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
|
SIHU3N50D-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3A(Tc) N-Channel 3.2 Ohms @ 2.5A,10V 69W(Tc) TO-251AA -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
