FDD5612 与 SUD23N06-31-GE3 区别
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规格信息
型号	FDD5612	SUD23N06-31-GE3
唯样编号	A3t-FDD5612	A3t-SUD23N06-31-GE3
制造商	ON Semiconductor	Vishay
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	通用MOSFET
描述	N-Channel 60 V 55 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - TO-252-3	Single N-Channel 60 V 0.031 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
数据表		SUD23N06-31-GE3.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	3.8W(Ta),42W(Tc)	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	55 毫欧 @ 5.4A,10V	31 mOhms @ 15A,10V
漏源极电压Vds	60V	60V
Pd-功率耗散(Max)	3.8W(Ta),42W(Tc)	5.7W(Ta),31.25W(Tc)
Vgs(th)	-	3V @ 250uA
栅极电压Vgs	±20V	-
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63	TO-252
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	-55°C~150°C
连续漏极电流Id	5.4A(Ta)	21.4A(Tc)
系列	PowerTrench®	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	660pF @ 30V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	11nC @ 10V	-
Vgs(最大值)	-	±20V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	660pF @ 30V	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	11nC @ 10V	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
FDD5612	ON Semiconductor		通用MOSFET	3.8W(Ta),42W(Tc) 55m Ohms@5.4A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 18A N-Channel 60V 5.4A(Ta) ±20V 55 毫欧 @ 5.4A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63	暂无价格	0	当前型号
SUD23N06-31-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V	暂无价格	4,000	对比
SUD23N06-31-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V	暂无价格	0	对比
SUD23N06-31-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	21.4A(Tc) N-Channel 31 mOhms @ 15A,10V 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V	暂无价格	0	对比