FDD390N15ALZ 与 IRFR4615PBF 区别
| 型号 | FDD390N15ALZ | IRFR4615PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDD390N15ALZ | A-IRFR4615PBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 63W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 42 毫欧 @ 26A,10V | 42mΩ@21A,10V |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 63W(Tc) | 144W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | D-Pak |
| 连续漏极电流Id | 26A | 33A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | PowerTrench® | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 75V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1760pF @ 75V | 1750pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 39nC @ 10V | 26nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA | 5V @ 100µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1760pF | 1750pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 39nC | 26nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD390N15ALZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
26A(Tc) ±20V 63W(Tc) 42m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 150V 26A 42 毫欧 @ 26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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IRFR4615PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@21A,10V N-Channel 150V 33A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUD25N15-52-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),136W(Tc) 52mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 150V 25A |
暂无价格 | 13 | 对比 |
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SUD25N15-52-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),136W(Tc) 52mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 150V 25A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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