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FDD3706  与  SUD50N02-06P-E3  区别

型号 FDD3706 SUD50N02-06P-E3
唯样编号 A3t-FDD3706 A3t-SUD50N02-06P-E3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 20 V 8 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - DPAK (TO-252) Single N-Channel 20 V 0.006 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3.8W(Ta),44W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 9 毫欧 @ 16.2A,10V 6 mOhms @ 20A,10V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),44W(Tc) 6.8W(Ta),65W(Tc)
Vgs(th) - 3V @ 250uA
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 14.7A(Ta),50A(Tc) 50A(Tc)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1882pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1882pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD3706 ON Semiconductor 通用MOSFET

3.8W(Ta),44W(Tc) 9m Ohms@16.2A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 14.7A N-Channel 20V 14.7A(Ta),50A(Tc) ±12V 9 毫欧 @ 16.2A,10V -55°C~175°C(TJ) D-PAK(TO-252AA) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
SUD50N02-06P-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

50A(Tc) N-Channel 6 mOhms @ 20A,10V 6.8W(Ta),65W(Tc) TO-252 -55°C~175°C 20V

暂无价格 0 对比

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