FDC86244 与 SI3440DV-T1-GE3 区别
| 型号 | FDC86244 | SI3440DV-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDC86244 | A3t-SI3440DV-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 150 V 2.3 A 144 mOhm SuperSOT-6 Mosfet | Single N-Channel 150 V 0.375 O 8 nC Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 1.6W(Ta) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 144 毫欧 @ 2.3A,10V | 375mΩ |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.6W(Ta) | 1.14W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | TSOP-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 2.3A(Ta) | 1.5A |
| 系列 | PowerTrench® | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 345pF @ 75V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6nC @ 10V | 8nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | 6V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 345pF @ 75V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDC86244 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
1.6W(Ta) 144m Ohms@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT 2.3A N-Channel 150V 2.3A(Ta) ±20V 144 毫欧 @ 2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SI3440DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.14W(Ta) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 150V 1.5A 375mΩ |
暂无价格 | 65 | 对比 |
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SI3440DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.14W(Ta) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 150V 1.5A 375mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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