FDC6401N 与 SI3900DV-T1-GE3 区别
| 型号 | FDC6401N | SI3900DV-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FDC6401N | A-SI3900DV-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 70 mOhm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 70m Ohms@3A,4.5V | 125 mOhms @ 2.4A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 700mW | 830mW |
| Vgs(th) | - | 1.5V @ 250uA |
| FET类型 | 2N-Channel | 2N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | TSOT-23-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 3A | 2A |
| 系列 | PowerTrench® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 324pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4.6nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDC6401N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
70m Ohms@3A,4.5V 700mW -55°C~150°C(TJ) 2N-Channel 20V 3A -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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SI3900DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
2A 2N-Channel 125 mOhms @ 2.4A,4.5V 830mW TSOT-23-6 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI3900DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
2A 2N-Channel 125 mOhms @ 2.4A,4.5V 830mW TSOT-23-6 -55°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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