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FDC6305NSOT-6  与  SI3900DV-T1-GE3  区别

型号 FDC6305NSOT-6 SI3900DV-T1-GE3
唯样编号 A3t-FDC6305NSOT-6 A3t-SI3900DV-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TSOT-23-6
连续漏极电流Id - 2A
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 125 mOhms @ 2.4A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 830mW
Vgs(th) - 1.5V @ 250uA
FET类型 - 2N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC6305NSOT-6 ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 当前型号
SI3900DV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2A 2N-Channel 125 mOhms @ 2.4A,4.5V 830mW TSOT-23-6 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 对比
SI3900DV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2A 2N-Channel 125 mOhms @ 2.4A,4.5V 830mW TSOT-23-6 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 对比

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